HKT SCHOTTKY BARRIER DIODE
" (222538)SiC肖特基二极管
本资料详细介绍了SiC肖特基二极管的产品特性、电气特性、热特性、典型性能和应用领域。该二极管具有零正向恢复电压、零反向恢复电流、优异的浪涌电流能力、温度独立开关、正向电压正温度系数和高频操作等特点，适用于不间断电源、开关电源、功率因数校正、电机驱动器等领域。
YXF7001B1L0A 40V 低正向压降肖特基二极管
本资料介绍了YXF7001B1L0A40V肖特基二极管的产品特性、电气特性、机械数据以及存储和运输信息。该二极管采用低正向电压和低漏电流设计，适用于高速开关和电压钳位应用。
[选型]辰达行（Microdiode）肖特基二极管选型表
Microdiode Electronics (Shenzhen) Co., Ltd is a professional semiconductor enterprise which specializes in R & D, production of diodes and bridge rectifiers.~~~~~~微二极管电子（深圳）有限公司是一家专业研发、生产二极管、整流桥的半导体企业。
碳化硅肖特基二极管-GC2D008065E
本资料介绍了Silicon Labs公司生产的GC2D008065E型号碳化硅肖特基二极管。该产品具有零反向恢复电流、零正向恢复电压等特性，适用于高频操作，具有温度独立开关行为和正温度系数。主要应用于开关电源、服务器/电信电源、工业电源和太阳能逆变器等领域。
TN20PK0402J集成P沟道增强型功率MOSFET和肖特基二极管
TN20PK0402J是一款集成了P-Channel增强型功率MOSFET和肖特基二极管的元器件。该产品采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷。肖特基二极管便于实现双向阻断开关或DC-DC转换应用。
RB500V-40 肖特基二极管 (SCHOTTKY DIODE)
BRMBR20100CTQ 肖特基二极管 DATA SHEET (BRMBR20100CTQ Schottky Barrier Diode DATA SHEET)
BAT20J肖特基二极管（SOD-323）
该资料介绍了型号为BAT20J的肖特基二极管。它具有反向电压10伏、正向电流1安培的特性，适用于低导通损耗、极低的反向电流和快速开关应用。资料提供了详细的电气参数、典型特性曲线、包装信息和推荐焊盘布局。
BAT60B肖特基二极管（SOD-323）
该资料介绍了名为BAT60B的低电压、低感抗肖特基二极管。它具有高电流整流功能，适用于电源供应、检测和升压转换。资料提供了产品的特性、最大额定值、典型特性曲线、包装信息和推荐焊盘布局。
BAT60B SOD-323肖特基二极管
该资料介绍了名为BAT60B的低电压、低感抗肖特基二极管。它具有高电流整流功能，适用于电源供应、检测和升压转换等领域。资料提供了产品的特性、最大额定值、典型特性曲线、包装信息和注意事项。
Schottky Barrier Diode D2FS6
BAT20J SOD-323肖特基二极管
该资料介绍了名为BAT20J的肖特基二极管。它具有反向电压10伏、正向电流1安培的特性，适用于低导通损耗、极低的反向电流和快速开关等应用。资料提供了详细的电气特性、机械数据、包装信息和注意事项。
RB521S塑料封装二极管肖特基二极管（SOD-523）
本资料介绍了Microdiode RB521S肖特基二极管的产品特性、电气参数和应用信息。该二极管采用SOD-523封装，具有低反向电流和正向电压的特点，适用于各种电子电路。
SDM02M30LP3 DFN0603塑封二极管肖特基势垒二极管
本资料详细介绍了SDM02M30LP3型号的DFN0603封装塑料封装肖特基二极管的技术规格。包括绝对最大额定值、电气特性、封装尺寸等关键信息。该二极管具有低反向电流、低正向电压、符合RoHS标准、绿色电磁兼容性等特点。
SD11803 1200V 10A碳化硅肖特基二极管
本资料介绍了Solitron Devices公司生产的SD11803型号1200V 10A碳化硅肖特基二极管。该二极管具有无反向恢复/无正向恢复、零开关损耗、独立于温度的开关行为、隔离外壳和密封封装等特点。适用于航空航天、高效转换器和电机驱动、电源等应用，具有无热失控的并行设备、更高的效率和更小的散热器，适用于极端环境应用。资料还提供了该二极管的绝对最大额定值、典型性能曲线、电气规格、热和机械特性以及封装轮廓等信息。
使用额外的肖特基二极管减少干扰
本文探讨了在点对负载（POL）降压转换器中，同步开关转换器可能产生的干扰问题。文章指出，由于MOSFET的体二极管存在反向恢复现象，导致开关节点电压产生负峰，从而产生干扰。为了减少这种干扰，文章建议在电路中添加一个额外的肖特基二极管，以快速承担电流，减少电压下降，从而降低干扰。此外，文章还讨论了肖特基二极管的设计和放置问题。
[选型]辰达行（Microdiode）小信号肖特基二极管选型表
Microdiode Electronics (Shenzhen) Co., Ltd is a professional semiconductor enterprise which specializes in R & D, production of diodes and bridge rectifiers.~~~~~~微二极管电子（深圳）有限公司是一家专业研发、生产二极管、整流桥的半导体企业。
美丽微半导体（FORMOSA）肖特基二极管选型指南
Formosa Microsemi Co., Ltd. (Formosa Microsemi) was founded in 1996. Since its inception, we have been dedicated to the professional production of semiconductors. The company mainly produces switching diodes, fast diodes, zener diodes, Schottky diodes, TVS (surge absorber) and ESD (anti-static components), bridge rectifiers, MOSFETs, Transistors and other wafers and packaging products.~~~~~~有限公司成立于1996年。自成立以来，我们一直致力于半导体的专业生产。公司主要生产开关二极管、快速二极管、齐纳二极管、肖特基二极管、TVS（浪涌吸收器）和ESD（防静电元件）、桥式整流器、MOSFET、晶体管等晶圆及封装产品。
碳化硅肖特基二极管的设计与优化
本文探讨了碳化硅（SiC）肖特基二极管的设计与优化，分析了SiC功率器件在高温下的优越性能、芯片尺寸较小的原因以及SiC二极管优异的开关性能。文章介绍了WeEn半导体公司基于成熟150mm晶圆技术推出的1200V SiC MPS二极管和AEC-Q101认证的650V汽车级SiC MPS二极管。此外，还讨论了SiC器件的制造管理、优化和产品介绍，以及SiC肖特基二极管在PFC电路中的应用。
SDM02U30LPS肖特基二极管占用的PCB空间减少66%
Diodes Incorporated发布了一款新型肖特基二极管SDM02U30LP3，采用微型超低轮廓无引脚DFN0603封装。该二极管具有30V、0.1A的额定值，适用于超便携设备，如智能手机和平板电脑。其尺寸仅为0.62mm x 0.32mm x 0.30mm，比行业标准DFN1006和SOD923节省约66%的PCB空间，并具有0.35mm的离板轮廓，比竞争产品薄25%。该二极管具有非常低的正向电压和最大漏电流，有助于降低功耗和延长电池寿命。
RBR2L60BDD肖特基势垒二极管
本资料介绍了ROHM公司生产的汽车级肖特基势垒二极管（Schottky barrier diode）的产品特性。产品型号为RBR2L60BDD，封装类型为PMDS，符合JEDEC DO-214AC标准。资料详细列出了该二极管在不同静电放电（ESD）测试标准下的免疫等级和测试结果，包括CDM和HBM模型下的测试数据。此外，资料还强调了该产品对静电敏感，需在制造和储存过程中采取适当措施以防止损坏，并提供了注意事项和产品使用限制。
RBR5L60ADD肖特基势垒二极管
本资料介绍了ROHM公司生产的汽车级肖特基势垒二极管（Schottky barrier diode）的产品特性。产品型号为RBR5L60ADD，封装类型为PMDS，符合JEDEC DO-214AC标准。资料详细列出了该二极管在不同静电放电（ESD）测试标准下的免疫等级和测试结果，包括充电设备模型（CDM）和人体模型（HBM）的测试数据。此外，资料还强调了该产品对静电敏感，需在制造和储存过程中采取适当措施以防止损坏。
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